[发明专利]一种基于室温成膜制备氧化锡电子传输层的钙钛矿电池及其制备方法有效
申请号: | 201910356609.5 | 申请日: | 2019-04-29 |
公开(公告)号: | CN110061137B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 胡劲松;马婧媛;李明华;丁捷 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 刘元霞 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于室温成膜制备氧化锡电子传输层的钙钛矿电池及其制备方法,所述电池包括衬底材料、透明电极、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和对电极;所述电子传输层为室温成膜制备的氧化锡纳米微晶涂层。本发明在室温成膜制备氧化锡电子传输层,可简化电池器件的制备过程,降低成本,提高钙钛矿太阳能电池的制备效率;同时有利于制备柔性电池器件,推进钙钛矿太阳能电池向功能化、实用化方面的发展。本发明提供的方法简单有效,室温成膜制备氧化锡电子传输层具有与高温退火氧化锡电子传输层水平相当的电学性能,可使钙钛矿电池最高效率达到19.79%,具有应用潜力。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 室温 制备 氧化 电子 传输 钙钛矿 电池 及其 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院化学研究所,未经中国科学院化学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910356609.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择