[发明专利]一种基于室温成膜制备氧化锡电子传输层的钙钛矿电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910356609.5 申请日: 2019-04-29
公开(公告)号: CN110061137B 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 胡劲松;马婧媛;李明华;丁捷 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 刘元霞
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于室温成膜制备氧化锡电子传输层的钙钛矿电池及其制备方法,所述电池包括衬底材料、透明电极、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和对电极;所述电子传输层为室温成膜制备的氧化锡纳米微晶涂层。本发明在室温成膜制备氧化锡电子传输层,可简化电池器件的制备过程,降低成本,提高钙钛矿太阳能电池的制备效率;同时有利于制备柔性电池器件,推进钙钛矿太阳能电池向功能化、实用化方面的发展。本发明提供的方法简单有效,室温成膜制备氧化锡电子传输层具有与高温退火氧化锡电子传输层水平相当的电学性能,可使钙钛矿电池最高效率达到19.79%,具有应用潜力。
搜索关键词: 一种 基于 室温 制备 氧化 电子 传输 钙钛矿 电池 及其 方法
【主权项】:
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