[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910357160.4 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111863944B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件及其形成方法，包括提供衬底，在衬底上依次形成第一衬层、第二衬层、第三衬层、第四衬层、第五衬层以及第六衬层；在第六衬层上形成至少一个分立排列的芯层；在芯层的侧壁上形成侧墙；以芯层和侧墙为掩膜，依次刻蚀侧墙两侧的第六衬层、第五衬层、第四衬层、第三衬层，直至暴露出第二衬层，形成开口；在刻蚀后的第三衬层、第四衬层、第五衬层以及第六衬层的两侧形成外延层；继续刻蚀第二衬层、第一衬层以及部分衬底；去除芯层、侧墙和芯层下的第六衬层、第五衬层、第四衬层、第三衬层、第二衬层、第一衬层以及部分衬底，形成若干鳍部；去除鳍部上的第一衬层、第三衬层以及第五衬层；形成的半导体器件使用性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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