[发明专利]一种基于硅基微环谐振器的磁场传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910357331.3 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110018428B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 杨庆;罗曼丹;何彦霄;刘仁远 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G01R33/00 | 分类号： | G01R33/00 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 武君 |
| 地址： | 400030 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅基微环谐振器的磁场传感器，包括硅衬底、二氧化硅层、直波导、环形波导以及磁光薄膜。通过在磁光薄膜外施加外磁场，改变磁光材料的介电常数，使得所述基于硅基微环谐振器的磁场传感器的输出谐振峰发生漂移，实现磁场测量。具有稳定性高、尺寸微型化、抗电磁干扰能力强、制作成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硅基微环 谐振器 磁场 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅基微环谐振器的磁场传感器，其特征在于：所述磁场传感器包括硅衬底(1)、二氧化硅层(2)、直波导(3)、环形波导(4)以及磁光薄膜(5)，所述二氧化硅层(2)设置于硅衬底(1)上，所述直波导(3)与环形波导(4)均设置于二氧化硅层(2)表面上，所述环形波导(4)内侧及上方分别设置有圆环形的磁光薄膜(5)。
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