[发明专利]一种低热导率SnSe纳米材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种液相合成低热导率SnSe纳米材料的制备方法，属于材料制备及能源转化技术领域。采用液相合成和退火热压相结合的方法，以去氧蒸馏水为溶剂，以一定比例的硒源和锡源制备成SnSe纳米材料，尺寸约为25 nm。将其退火通过热压操作压成的片，测得在室温下热导率为0.291 Wm^‑1k^‑1，在350℃的温度下其热导率仅为0.237 Wm^‑1k^‑1，与同族化合物SnTe和其他方法制得的SnSe相比热导率低。较低的热导性能有效的减少热量的损失，说明该低热导率的纳米材料是良好的潜在热电材料，材料本身无毒且容易大量合成，合成成本低等优点，具有较好的实际应用价值。

主权项

1.一种低热导率SnSe纳米材料的制备方法，具体的步骤为称取0.3~0.5 g的硒粉和0.3~0.5 g的硼氢化钠，溶解到盛有20~30 ml去氧蒸馏水的单口烧瓶中，超声30~45 min，得到澄清溶液记为A，再称取15~30 g的一水合柠檬酸和0.8~1.5 g的二水合氯化亚锡，溶解到盛有20~30 ml去氧蒸馏水的三口烧瓶中并加热至沸腾状态，将A溶液注入，得到黑色沉淀，沸腾30~45 min，然后取出，在通氮气的Schlenk‑ line管中冷却至室温，先用9000转每分钟转速，离心6分钟，倒出上清液，得到沉淀，再用8000转每分钟转速离心，离心6分钟，用蒸馏水与乙醇交替各洗三次，将所得沉淀放入真空干燥箱里，放置12小时得到样品。