[发明专利]新型免封装二极管及其加工工艺在审
| 申请号： | 201910358372.4 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110137266A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 吴念博 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/78;H01L21/329 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;陈昊宇 |
| 地址： | 215153 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种新型免封装二极管；包括二极管芯片，该二极管芯片包括一硅片衬底，其下表面通过第一杂质掺杂形成有N+区，并通过第二杂质掺杂形成有P+区，且N+区与P+区间隔设置；N+区以及P+区形成于硅片衬底的同侧，并且两者的表面均设有金属电极，构成两金属电极位于硅片衬底的同侧。本发明通过大幅简化封装，通过节省原材料，不仅对环保产生积极影响，且能够降低材料费、人工费，实现最多可降低40%的加工成本，并能够提升单位时间的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 衬底 封装 二极管芯片 二极管 金属电极 杂质掺杂 同侧 间隔设置 生产效率 下表面 环保 加工 | ||
【主权项】：
1.一种新型免封装二极管；其特征在于：包括二极管芯片，该二极管芯片包括一硅片衬底，其下表面通过第一杂质掺杂形成有N+区，并通过第二杂质掺杂形成有P+区，且N+区与P+区间隔设置；所述N+区以及所述P+区形成于硅片衬底的同侧，并且两者的表面均设有金属电极，构成两所述金属电极位于硅片衬底的同侧。
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