[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910359224.4 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111863723A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;纪世良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/786 | 分类号： | H01L21/786;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构上的绝缘盖帽层以及位于栅极结构之间衬底上的源漏连接层，源漏连接层的顶面低于绝缘盖帽层的顶面；在绝缘盖帽层上形成刻蚀停止层；在源漏连接层上形成源漏介电层；采用第一刻蚀工艺去除源漏连接层上的源漏介电层，形成第一开口；在第一刻蚀工艺中，绝缘盖帽层的被刻蚀速率小于源漏介电层的被刻蚀速率，且刻蚀停止层的被刻蚀速率小于绝缘盖帽层的被刻蚀速率；在第一开口中形成源漏接触孔插塞。形成第一开口的过程中，刻蚀停止层不容易被刻蚀去除，降低了源漏接触孔插塞与栅极结构发生桥接的概率，优化了半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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