[发明专利]一种基于光导开关的核电磁脉冲模拟器脉冲源有效
申请号: | 201910359608.6 | 申请日: | 2019-04-30 |
公开(公告)号: | CN109981082B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 栾崇彪;赵娟;李洪涛;马勋;肖金水;康传会;黄宇鹏 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院流体物理研究所 |
主分类号: | H03K3/42 | 分类号: | H03K3/42 |
代理公司: | 绵阳山之南专利代理事务所(普通合伙) 51288 | 代理人: | 沈强 |
地址: | 621000 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于光导开关的核电磁脉冲模拟器脉冲源,采用脉冲变压器升压电路拓扑结构,包括初级储能电路和次级脉冲形成电路,脉冲变压器的初级储能电路中采用IGBT释放初级储能电容上的能量,脉冲变压器升压对次级脉冲形成电容充电,次级脉冲形成电容通过光导开关对负载天线放电;本发明的具有宽范围电压幅值调节能力和良好波形一致性的高功率电磁脉冲模拟器脉冲源可以满足不断完善的强电磁脉冲效应现场试验考核和易损性评估的现实需求,特别是针对在役和固定设备、高集群度设备、交通便捷度差以及检验时间窗口短的应用需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 开关 核电 脉冲 模拟器 | ||
【主权项】:
1.一种基于光导开关的核电磁脉冲模拟器脉冲源,采用脉冲变压器升压电路拓扑结构,包括初级储能电路和次级脉冲形成电路,其特征在于:脉冲变压器的初级储能电路中采用IGBT释放初级储能电容上的能量,脉冲变压器升压对次级脉冲形成电容充电,次级脉冲形成电容通过光导开关对负载天线放电,所述次级脉冲形成电容和回路电感应该满足下式:其中:RL为负载天线电阻,L为次级脉冲形成电路的回路电感,Cf为脉冲形成电容。
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