[发明专利]一种多结太阳电池隐性缺陷无损测试方法及系统在审
| 申请号： | 201910359894.6 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110324003A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 彭云峰;丁叶飞;黄川 | 申请（专利权）人： | 上海道口材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H02S50/15 | 分类号： | H02S50/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200092 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多结太阳电池隐性红外缺陷无损测试方法，针对被测多结太阳电池中各子电池的材料类型，选择对应的激光光源；激光光源发出的激光均照射在被测多结太阳电池上，被测多结太阳电池在激光照射下，各子电池分别激发出对应一定波长的光信号，这些光信号均在分别滤光后由红外传感器接收，并分别转换为电信号；控制系统接收所述的电信号，通过各激光光源的频率作为锁相信号放大的输入参数，提取各子电池的红外缺陷分布图。本发明利用不同子电池在不同激光下激发的光信号不同的特点，快速、非接触地测试出多结太阳电池中，每个子电池上分布的隐性缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 多结太阳电池 子电池 激光光源 隐性缺陷 无损 激光 测试方法及系统 红外传感器 缺陷分布图 测试 材料类型 激光照射 控制系统 输入参数 锁相信号 非接触 波长 激发 滤光 照射 放大 转换 | ||
【主权项】：
1.一种多结太阳电池隐性缺陷无损测试方法，其特征在于：它包括以下步骤：S1、针对被测多结太阳电池中各子电池的基体材料类型，选择对应的激光光源；激光光源的选择原则为：被选激光光源的激光光子能量大于对应子电池基体材料的禁带宽度；S2、所有激光光源发出的激光均照射在被测多结太阳电池上，S3、被测多结太阳电池在激光照射下，各子电池分别激发出特定波长的微弱红外光信号，这些微弱红外光信号均在分别滤光后由红外传感器接收，并分别转换为数字信号；S4、控制与信号处理系统接收所述的数字信号，通过各激光光源的频率f作为数字锁相信号放大模块的输入参数，提取各子电池的隐性缺陷分布图。
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