[发明专利]相变存储器结构和器件在审
| 申请号： | 201910360486.2 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110556473A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | S·W·鲁塞尔;A·戈蒂;A·雷达埃利;E·瓦雷西;I·托尔托雷利;L·弗拉丁;A·塞巴斯蒂亚尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变存储器(PCM)单元，其可以包括PCM层。第一电极和第二电极设置在所述PCM层的相对侧上。第一电极、第二电极或两者包括设置在上阻挡层和下阻挡层之间的金属陶瓷复合材料层，并且其中，所述金属陶瓷复合材料层提供具有10mOhm‑cm到1000mOhm‑cm的电阻率的对应电极。 | ||
| 搜索关键词： | 金属陶瓷复合材料 第二电极 第一电极 相变存储器 上阻挡层 下阻挡层 电阻率 电极 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器(PCM)单元，包括：/n包括PCM材料的PCM层；以及/n设置在所述PCM层的相对侧上的第一电极和第二电极，/n其中，所述第一电极、所述第二电极或两者包括设置在上阻挡层和下阻挡层之间的金属陶瓷复合材料层。/n
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