[发明专利]半导体基板处理设备和方法在审
| 申请号： | 201910360899.0 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110444490A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | A·恩古耶;Y·S·维舍瓦纳斯;X·常 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了半导体基板处理设备和方法。本文所述的实施例包括一种处理工具，所述处理工具包括被配置为用于处理压力的快速和稳定的变化。在一个实施例中，所述处理工具可以包括腔室主体。在一个实施例中，所述腔室主体是真空腔室。所述处理工具可以进一步包括吸盘，所述吸盘用于支撑腔室主体中的基板。在一个实施例中，所述处理工具还可以包括环绕所述吸盘的阴极衬里和与所述阴极衬里对准的流限制环。在一个实施例中，所述阴极衬里和所述流限制环在主处理容积与所述真空腔室的外围容积之间限定开口。 | ||
| 搜索关键词： | 处理工具 吸盘 阴极衬里 半导体基板处理 腔室主体 真空腔室 限制环 处理压力 限定开口 室主体 支撑腔 主处理 基板 对准 环绕 外围 配置 | ||
【主权项】：
1.一种处理工具，包括：腔室主体，其中所述腔室主体是真空腔室；吸盘，所述吸盘用于支撑所述腔室主体中的基板；阴极衬里，所述阴极衬里环绕所述吸盘；和流限制环，所述流限制环与所述阴极衬里对准，其中所述阴极衬里和所述流限制环在主处理容积与所述真空腔室的外围容积之间限定开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
