[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
申请号: | 201910360963.5 | 申请日: | 2019-04-30 |
公开(公告)号: | CN110085612A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 魏代龙 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 武振华;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图像传感器及其形成方法,所述图像传感器包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有光电感应单元;光电二极管组,位于所述光电感应单元内;控制栅极,位于所述光电感应单元,所述控制栅极自所述半导体衬底表面沿所述中心轴向所述半导体衬底内部延伸;多个第一浮置扩散区,所述第一浮置区域是指所述光电感应单元的围绕所述控制栅极的部分;多个第二浮置扩散区,所述第二浮置区域是指所述光电感应单元的围绕所述第一浮置区域的部分。本发明方案在减小器件面积和维持较高灵敏度的同时,可以通过利用第二浮置扩散区,有机会选择适当的浮置扩散区以改变总电容大小。 | ||
搜索关键词: | 光电感应单元 浮置扩散区 图像传感器 控制栅极 衬底 浮置 半导体 半导体衬底表面 光电二极管组 高灵敏度 机会选择 内部延伸 中心轴向 面积和 总电容 减小 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有光电感应单元;光电二极管组,位于所述光电感应单元内,且所述光电二极管组中的多个光电二极管围绕所述光电感应单元的中心轴分布;控制栅极,位于所述光电感应单元,所述控制栅极自所述半导体衬底表面沿所述中心轴向所述半导体衬底内部延伸;多个第一浮置扩散区,在第一浮置区域围绕所述光电感应单元的中心轴分布,所述多个第一浮置扩散区与所述多个光电二极管一一对应,所述第一浮置区域是指所述光电感应单元的围绕所述控制栅极的部分;多个第二浮置扩散区,在第二浮置区域围绕所述光电感应单元的中心轴分布,所述多个第二浮置扩散区与所述多个第一浮置扩散区一一对应,所述第二浮置区域是指所述光电感应单元的围绕所述第一浮置区域的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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