[发明专利]基于氧化镓倍频晶体的光纤激光器在审
| 申请号： | 201910361506.8 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110086077A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈政委;刘文军;张晓 | 申请（专利权）人： | 北京镓族科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/109 | 分类号： | H01S3/109;H01S3/11;H01S3/067 |
| 代理公司： | 北京清诚知识产权代理有限公司 11691 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 101300 北京市顺义区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光纤激光器，其具有包括泵浦源和光纤的光路结构，光路结构的激光输出端包括直接带隙超宽禁带半导体的倍频晶体，并优选为β‑Ga2O3晶体，倍频晶体为其用于对激光倍频后输出。本发明的所述光路结构还包括二维纳米材料可饱和吸收体(14)，其与所述非线性偏振旋转元件混合锁模。本发明可输出高功率、脉宽在50fs以下的激光。 | ||
| 搜索关键词： | 倍频晶体 光路结构 光纤激光器 非线性偏振旋转 二维纳米材料 可饱和吸收体 激光输出端 混合锁模 激光倍频 直接带隙 输出 泵浦源 高功率 氧化镓 超宽 禁带 脉宽 优选 半导体 光纤 激光 | ||
【主权项】：
1.一种光纤激光器，具有包括泵浦源和光纤的光路结构，其特征在于：所述光路结构的激光输出端包括倍频晶体，所述倍频晶体为直接带隙超宽禁带半导体，其用于对激光倍频后输出。
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