[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法

摘要

本公开涉及背照式图像传感器及其制造方法。背照式图像传感器包括：晶片堆叠，包括：第一晶片，包括第一衬底和在第一衬底之上的第一布线层，第一衬底包括像素区域和像素区域周围的外围区域；第二晶片，包括第二衬底和在第二衬底之上的第二布线层；以及位于第一晶片的第一布线层和第二晶片的第二布线层之间的接合层；多个穿透孔，在第一衬底的外围区域中延伸穿过第一晶片和接合层到达第二晶片；在多个穿透孔中的第一金属材料；在多个穿透孔中的至少一个穿透孔中的第一金属材料上的接触孔；以及在第一衬底的像素区域之上的凹陷区域，其形成像素区域的窗口；在至少一个穿透孔的接触孔以及像素区域的窗口之上的第二金属材料层。

主权项

1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：晶片堆叠，所述晶片堆叠包括：第一晶片，包括第一衬底和在所述第一衬底之上的第一布线层，所述第一衬底包括像素区域和所述像素区域周围的外围区域；第二晶片，包括第二衬底和在所述第二衬底之上的第二布线层；以及位于所述第一晶片的第一布线层和所述第二晶片的第二布线层之间的接合层；多个穿透孔，所述多个穿透孔在所述第一衬底的外围区域中延伸穿过所述第一晶片和所述接合层到达所述第二晶片；在所述多个穿透孔中的第一金属材料，所述第一金属材料使得所述第一晶片和所述第二晶片电连接；在所述多个穿透孔中的至少一个穿透孔中的第一金属材料上的接触孔；以及在所述第一衬底的像素区域之上的凹陷区域，所述凹陷区域用作所述像素区域的窗口；以及在所述接触孔以及所述窗口之上的第二金属材料层，其中所述第二金属材料层通过所述接触孔与所述至少一个穿透孔中的第一金属材料电连接。