[发明专利]一种铌酸锂平面波导上的光电探测器及制备方法有效
申请号: | 201910363000.0 | 申请日: | 2019-04-30 |
公开(公告)号: | CN111864003B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 王羿文;胡卉;张洪湖;朱厚彬;李青云 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | H01L31/102 | 分类号: | H01L31/102;H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/20 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 李琳 |
地址: | 250100 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本公开提供了一种铌酸锂平面波导上的光电探测器及制备方法,自下而上分别包括铌酸锂平面波导本体、硅薄膜和叉指电极,所述铌酸锂平面波导本体自下而上依次包括铌酸锂衬底、二氧化硅层和铌酸锂薄膜,通过异质集成非晶硅薄膜的方式在LNOI上制备光电探测器,通过端面耦合的方法将光耦合到铌酸锂单晶薄膜中,利用光电探测器实现了对波导中传播光的探测,其暗电流低,制备简单,为LNOI上集成光芯片的实现探索了道路。 | ||
搜索关键词: | 一种 铌酸锂 平面 波导 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的