[发明专利]一种铌酸锂平面波导上的光电探测器及制备方法有效

专利信息
申请号: 201910363000.0 申请日: 2019-04-30
公开(公告)号: CN111864003B 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 王羿文;胡卉;张洪湖;朱厚彬;李青云 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: H01L31/102 分类号: H01L31/102;H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/20
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 李琳
地址: 250100 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 本公开提供了一种铌酸锂平面波导上的光电探测器及制备方法,自下而上分别包括铌酸锂平面波导本体、硅薄膜和叉指电极,所述铌酸锂平面波导本体自下而上依次包括铌酸锂衬底、二氧化硅层和铌酸锂薄膜,通过异质集成非晶硅薄膜的方式在LNOI上制备光电探测器,通过端面耦合的方法将光耦合到铌酸锂单晶薄膜中,利用光电探测器实现了对波导中传播光的探测,其暗电流低,制备简单,为LNOI上集成光芯片的实现探索了道路。
搜索关键词: 一种 铌酸锂 平面 波导 光电 探测器 制备 方法
【主权项】:
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