[发明专利]一种LED的外延结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910363199.7 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110010732A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 霍丽艳;滕龙;周浩;方誉;谢祥彬;刘兆 | 申请（专利权）人： | 江西乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/24;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 330103 江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种LED的外延结构及其制作方法，该外延结构包括：衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、超晶格结构、多量子阱层、电流扩展层以及P型掺杂GaN层，其中，所述超晶格结构朝向所述多量子阱层一侧表面具有多个V形坑；所述超晶格结构包括至少两个层叠的超晶格单元，所述超晶格单元包括：浅阱层、位于所述浅阱层朝向所述N型掺杂GaN层一侧的P型掺杂浅垒层、位于所述浅阱层与所述P型掺杂浅垒层之间的未掺杂浅垒层以及位于所述未掺杂浅垒层与所述浅阱层之间的N型掺杂浅垒层。该LED的外延结构，不仅发光效率高，而且抗静电能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 垒层 外延结构 浅阱 超晶格结构 多量子阱层 超晶格 未掺杂 未掺杂GaN层 电流扩展层 抗静电能力 发光效率 缓冲层 衬底 制作 申请 | ||
【主权项】：
1.一种LED的外延结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底第一侧表面的缓冲层；位于所述缓冲层背离所述衬底一侧的未掺杂GaN层；位于所述未掺杂GaN层背离所述缓冲层一侧的N型掺杂GaN层；位于所述N型掺杂GaN层背离所述未掺杂GaN层一侧的超晶格结构，所述超晶格结构包括至少两个层叠的超晶格单元；位于所述超晶格结构背离所述N型掺杂GaN层一侧的多量子阱层；位于所述多量子阱层背离所述超晶格结构一侧的电流扩展层；位于所述电流扩展层背离所述多量子阱层一侧的P型掺杂GaN层；其中，所述超晶格结构朝向所述多量子阱层一侧表面具有多个V形坑；所述超晶格单元包括：浅阱层、位于所述浅阱层朝向所述N型掺杂GaN层一侧的P型掺杂浅垒层、位于所述浅阱层与所述P型掺杂浅垒层之间的未掺杂浅垒层以及位于所述未掺杂浅垒层与所述浅阱层之间的N型掺杂浅垒层。
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