[发明专利]一种抗反激信号的半导体器件及制作方法在审
| 申请号： | 201910364224.3 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110190126A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 陈智广;吴淑芳;林张鸿;林伟铭 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;林祥翔 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种抗反激信号的半导体器件及制作方法，方法包括如下步骤：在外延层上涂布第二光刻胶；在栅极位置以及栅极与漏级之间靠近漏级的位置进行光刻显影；蚀刻去除栅极位置以及栅极与漏级之间靠近漏级的位置的帽层；去除第二光刻胶，在外延层上涂布第三光刻胶并进行光刻显影；进行金属沉积，得到栅极金属以及金属结构，所述金属结构中间底部穿过帽层与肖特基层的上表面接触，所述金属结构的两侧分别与漏极金属和帽层接触。本发明的半导体器件具有肖特基接触/欧姆接触功能的漏级，可有效的抵抗漏级反激信号对栅极电流的影响，降低了在栅极器件上电期间的栅极电流大小，保证半导体器件的安全。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 金属结构 光刻胶 反激 帽层 光刻显影 栅极电流 栅极位置 外延层 去除 蚀刻 肖特基接触 金属沉积 漏极金属 欧姆接触 肖特基层 栅极金属 栅极器件 上表面 上电 制作 穿过 抵抗 安全 保证 | ||
【主权项】：
1.一种抗反激信号的半导体器件制作方法，其特征在于：包括如下步骤：在外延层上涂布第一光刻胶；在源极和漏极对应的位置进行光刻显影；蚀刻去除源极和漏极对应位置的帽层和部分肖特基层；在源极和漏极对应的位置进行源级和漏级的金属沉积；去除第一光刻胶，在外延层上涂布第二光刻胶；在栅极位置以及栅极与漏级之间靠近漏级的位置进行光刻显影；蚀刻去除栅极位置以及栅极与漏级之间靠近漏级的位置的帽层；去除第二光刻胶，在外延层上涂布第三光刻胶并进行光刻显影；进行金属沉积，得到栅极金属以及金属结构，所述金属结构中间底部穿过帽层与肖特基层的上表面接触，所述金属结构的两侧分别与漏极金属和帽层接触。
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