[发明专利]超结器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910364377.8 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110137245B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 徐大朋;黄肖艳;薛忠营;罗杰馨;柴展 | 申请（专利权）人： | 上海功成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/04;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201822 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超结器件结构及其制备方法，所述超结器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；外延叠层，形成于所述半导体衬底上；所述外延叠层包括至少两种沿所述外延叠层的厚度方向交替叠置的第一导电类型的外延层，且其中至少一种所述外延层具有与所述半导体衬底不同的晶格常数；第二导电类型的柱结构，形成于所述外延叠层中，且沿所述外延叠层的厚度方向延伸。本发明通过生长具有不同晶格常数的外延层，引入晶格缺陷，增加载流子复合几率，以优化超结功率器件的反向恢复特性；通过引入至少两种外延层交替叠置的外延叠层，得到均匀可控的缺陷分布。本发明所提供的制备方法工艺简单且成本较低，适用于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超结器件结构，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体衬底；外延叠层，形成于所述半导体衬底上；所述外延叠层包括至少两种沿所述外延叠层的厚度方向交替叠置的第一导电类型的外延层，且其中至少两种所述外延层之间具有不同的晶格常数；第二导电类型的柱结构，形成于所述外延叠层中，且沿所述外延叠层的厚度方向延伸。
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