[发明专利]一种存储器余量测试电路有效
| 申请号： | 201910365150.5 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110097916B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 黄明永 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器余量测试电路，包括：存储器，用于存储信息并实现可控读写；控制模块，用于在余量测试控制使能信号FT_Margin1_enable的控制下将控制信号Din1:0的转换为m个分组控制信号并分别连接至所述存储器的高压隔离模块，以通过控制所述高压隔离模块的各高压隔离管开启或者关闭,将选中的n个存储单元分为n/m组，本发明可保证读1的余量测试的时候选择电压SL不会太高而影响良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 余量 测试 电路 | ||
【主权项】：
1.一种存储器余量测试电路，包括存储器，用于存储信息并实现可控读写；控制模块，用于在余量测试控制使能信号FT_Margin1_enable的控制下将控制信号Din<1:0>的转换为m个分组控制信号并分别连接至所述存储器的高压隔离模块，以通过控制所述高压隔离模块的各高压隔离管开启或者关闭，将选中的n个存储单元分为n/m组。
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