[发明专利]一种含芴的化合物、空穴注入材料、OLED器件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910365325.2 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111848339A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张双;张晓龙;谭奇 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | C07C25/24 | 分类号： | C07C25/24;C07C255/52;C07C22/08;C07C255/31;C07C13/62;C07C43/215;C07D213/16;C07C43/285;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 201506 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种含芴的化合物、空穴注入材料、OLED器件及其制备方法和应用，所述含芴的化合物的结构如式I所示；本发明提供的含芴的化合物具有良好的交叉超共轭特性和热稳定性，而且无需加入额外的物质，非常适用于作为有机电致发光器件的空穴注入材料，能够赋予材料良好的成膜性能而且还可以通过在芴环上进行改性，结合强吸电基团，赋予化合物分子较强的还原电位，进一步提高化合物的空穴注入效果，辅助器件的空穴传输层高效地进行空穴注入，应用前景良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 空穴 注入 材料 oled 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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