[发明专利]气相沉积设备的进气喷淋头在审
| 申请号： | 201910365880.5 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110172682A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 魏鸿源;杨少延;陈怀浩;魏洁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;南京佑天金属科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 马莉 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种气相沉积设备的进气喷淋头，包括：气源腔，其内通入带有气相反应前驱体的载气气体；至少一个气体喷淋通道，其与气源腔连通，用于将气源腔内的气体喷出；隔离气体腔底板，其顶面与气源腔的底面之间形成隔离气体腔，该隔离气体腔内通入隔离气体；至少一个隔离气体导流通道，其形成于隔离气体腔底板上，并与隔离气体腔连通，用于将隔离气体腔内的隔离气体喷出；其中，每个气体喷淋通道均插入任意一个隔离气体导流通道中。本公开提供的气相沉积设备的进气喷淋头，气体喷淋通道插入隔离气体腔底板上的隔离气体导流通道中，避免反应物在喷淋头附近或者气体喷淋通道上发生预反应，导致预反应产物对喷淋头以及气体喷淋通道造成污染。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离气体 喷淋通道 喷淋头 气源腔 底板 导流通道 进气 气相沉积设备 预反应 喷出 腔内 连通 插入隔离 沉积设备 气相反应 载气气体 反应物 气体腔 前驱体 底面 顶面 污染 | ||
【主权项】：
1.一种气相沉积设备的进气喷淋头，包括：气源腔，其内通入带有气相反应前驱体的载气气体；至少一个气体喷淋通道，其与所述气源腔连通，用于将所述气源腔内的气体喷出；隔离气体腔底板，其顶面与所述气源腔的底面之间形成隔离气体腔，该隔离气体腔内通入隔离气体；至少一个隔离气体导流通道，其形成于所述隔离气体腔底板上，并与所述隔离气体腔连通，用于将所述隔离气体腔内的隔离气体喷出；其中，每个所述气体喷淋通道均插入任意一个所述隔离气体导流通道中。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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