[发明专利]二氧化钒基单晶体的制备方法及二氧化钒基单晶体在审
| 申请号： | 201910366005.9 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111850684A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 吴长征;吴俊驰;郭宇桥;杨波;谢毅 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/60;C30B25/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 程纾孟 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备二氧化钒基单晶体的方法，所述方法包括：在流动惰性气体气氛中，将包含钒源的原料加热至950℃至1150℃之间的温度，并保持24小时至72小时，随后以不高于20℃/分钟的速度降温至室温，以得到二氧化钒基单晶体，其中，所述钒源是除钒之外不包含其他金属元素的含氧化合物，并且其中的钒为+4或+5价，氧与钒的摩尔比为2∶1以上。本发明制备的二氧化钒基单晶体是长度在1毫米以上且直径在100微米以上的棒状单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 单晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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