[发明专利]一种非富勒烯钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201910366356.X | 申请日: | 2019-05-05 |
公开(公告)号: | CN110085753A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 袁永波;柯丽丽;谢承益 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 张玺 |
地址: | 410000*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种非富勒烯钙钛矿太阳能电池,包括从下至上的导电基底、空穴传输层、光吸收层、界面钝化层、非富勒烯电子传输层、空穴阻挡层和背电极;所述界面钝化层为硅酞菁层。本发明利用硅酞菁作为界面钝化层材料,构建高效非富勒烯钙钛矿太阳能电池,改善了光电流的迟滞现象,显著提高了光电转换效率和稳定性,为构建低成本、高效率、稳定的非富勒烯基钙钛矿太阳能电池提供了新思路。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 富勒烯 钙钛矿 界面钝化层 构建 酞菁 光电转换效率 电子传输层 空穴传输层 空穴阻挡层 富勒烯基 光吸收层 背电极 导电基 低成本 高效率 光电流 迟滞 制备 | ||
【主权项】:
1.一种非富勒烯钙钛矿太阳能电池,包括从下至上的导电基底、空穴传输层、光吸收层、非富勒烯电子传输层、空穴阻挡层和背电极,其特征在于:还包括介于所述光吸收层和非富勒烯电子传输层之间的界面钝化层,所述界面钝化层为硅酞菁层,所述硅酞菁的结构通式如式(1)所示:式(1)中,R为选自以下取代基中的一种:L为H或具有1~4个C原子的烷基。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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