[发明专利]一种LDMOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910366995.6 | 申请日： | 2019-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN110120423B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 姚佳飞;张泽平;郭宇锋;杨可萌 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 姚姣阳 |
| 地址： | 226000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提出了一种LDMOS器件，包括半导体衬底、埋层、外延层、源极金属、漏极金属和场氧化层，所述外延层上设置有PN变掺杂降场层、P型半导体体区和N型半导体漏区，所述PN变掺杂降场层的左半部分为P型变掺杂区，右半部分为N型变掺杂区，所述P型变掺杂区中的P型杂质浓度从左到右逐渐减小到0 cm |
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| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS器件，包括半导体衬底、埋层、外延层、源极金属、漏极金属和场氧化层，所述外延层上设置有PN变掺杂降场层、P型半导体体区和N型半导体漏区，所述P型半导体体区中设置有半导体源区和半导体体接触区，所述半导体源区和半导体体接触区均与所述源极金属接触；所述漏极金属与所述N型半导体漏区接触；其特征在于：所述PN变掺杂降场层的左半部分为P型变掺杂区，所述PN变掺杂降场层的右半部分为N型变掺杂区，所述P型变掺杂区中的P型杂质浓度从左到右逐渐减小到0cm‑3，所述N型变掺杂区中的N型杂质浓度从右至左逐渐减小到0cm‑3。
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