[发明专利]单闸极多次写入非挥发性内存及其操作方法在审
| 申请号： | 201910367887.0 | 申请日： | 2019-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN111899777A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 林信章;骆玮彤;黄文谦 | 申请（专利权）人： | 亿而得微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种单闸极多次写入非挥发性内存及其操作方法，此非挥发性内存为单浮接闸极，其是在半导体基底上设置晶体管及电容结构，晶体管于导电闸极两侧的半导体基底内具有两个离子掺杂区作为源极和汲极，其中源极和汲极的宽度设计成不同，可利用汲极的边缘作为电容，藉以控制浮动闸极；本发明于写入时可以使用最少的控制电压种类及最少的组件，能够大幅缩短控制线路的长度，达到缩小整体面积的效果，从而减少非挥发性内存的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 极多 写入 挥发性 内存 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亿而得微电子股份有限公司，未经亿而得微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910367887.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
