[发明专利]一种D-A型氟硼二吡咯共轭聚合物的制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201910368004.8 申请日: 2019-05-05
公开(公告)号: CN110041509B 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 赖越平;何安旺;秦元成;邓文杰;黄菲;高李健;刘奇;秦文;黄锦程;冯林喜 申请(专利权)人: 南昌航空大学
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;H01L51/46
代理公司: 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 代理人: 张文杰
地址: 330063 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明提供了一种D‑A型氟硼二吡咯共轭聚合物的制备方法,聚合物由式或式所示结构的化合物与给电子单体、催化剂在有机溶剂体系中,惰性气体保护下,先进行避光反应,最后采用柱层析提纯,制备得到目标产物。所述式或式所示结构的化合物与给电子单体的摩尔比为1:1‑2,反应温度为90~130℃,时间为24~72h;所述给电子单体为5,5’‑双三甲基锡‑2,2’‑联噻吩,催化剂为氧化铜、三(2‑甲苯基)膦或三(二亚苄基丙酮)二钯中的任意一种或任意几种的混合,所述的有机溶剂为二氯甲烷。本发明提供的方法制备的聚合物在可见光范围内具有较好的吸收、合适的能级,适合做有机太阳电池中的给体材料。
搜索关键词: 一种 型氟硼二 吡咯 共轭 聚合物 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种D‑A型氟硼二吡咯共轭聚合物的制备方法,其特征在于:所述D‑A型氟硼二吡咯共轭聚合物由式I所示结构的化合物或式II所示结构的化合物与给电子单体、催化剂在有机溶剂体系中,惰性气体保护下,先进行避光反应,最后采用柱层析提纯,制备得到目标产物式Ⅲ所示结构的化合物或式Ⅳ所示结构的化合物,其中式I、式II、式Ⅲ或式Ⅳ的结构式为:式I:式II:式Ⅲ:式Ⅳ:
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