[发明专利]一种二维纳米半导体材料掺杂方法在审
| 申请号： | 201910368584.0 | 申请日： | 2019-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN111900091A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 武恩秀;胡晓东;解媛;袁博 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L21/385 | 分类号： | H01L21/385;H01L29/34 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种二维纳米半导体材料掺杂方法，利用紫外光照和局部电场联合作用，实现了对二维纳米材料的可控性掺杂，可以形成单极性的n型器件和p型器件,且掺杂后的p型和n型器件；掺杂可逆，掺杂速度超快，掺杂周期在100ms以内；掺杂是非易失的，掺杂后的器件可在空气环境下稳定工作，且没有任何迟滞现象。该光电掺杂工艺与传统的CMOS工艺兼容：即利用传统的紫外光刻工艺，就可以实现二维纳米材料的空间选择性p型和n型掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 纳米 半导体材料 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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