[发明专利]一种半导体器件的形成方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201910369158.9 | 申请日： | 2019-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN111900130A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括在衬底上形成鳍片、伪栅极和封装结构；在伪栅极的一侧形成第一层间介质层，在相邻鳍片之间形成第二层间介质层，同时形成鳍部第一掩膜沟槽；在第一层间介质层和第二层间介质层的周侧沉积薄膜层，以形成隔离结构；在第二层间介质层远离衬底的一侧形成鳍部第二掩膜沟槽。相比于现有技术中在层间介质层上直接沉积各层掩膜层材料以形成掩膜。本发明利用薄膜层，将第一层间介质层和第二层间介质层周侧形成的鳍部第一掩膜沟槽，以及第二层间介质层远离衬底一侧形成的鳍部第二掩膜沟槽进行隔离，有效地避免了各层掩膜层材料之间发生短路的问题。本发明还公开了一种性能更好的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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