[发明专利]遮蔽构件和具备该遮蔽构件的单晶生长装置有效

专利信息
申请号: 201910369851.6 申请日: 2019-05-06
公开(公告)号: CN110468454B 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 藤川阳平 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 王潇悦;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的遮蔽构件配置于单晶生长装置内,所述单晶生长装置具备晶体生长用容器、原料收纳部、基板支持部和加热装置,所述原料收纳部位于所述晶体生长用容器内的下部,所述基板支持部配置在所述原料收纳部的上方,且以与所述原料收纳部相对的方式支持基板,所述加热装置配置在所述晶体生长用容器的外周,所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华而在所述基板上生长所述原料的单晶,所述遮蔽构件是在所述原料收纳部与所述基板支持部之间配置使用的,所述遮蔽构件由至少1个结构体构成,所述结构体具有非平板形状,所述非平板形状是将所述结构体配置于所述装置内时,所述基板支持部侧的面为倾斜面的形状。
搜索关键词: 遮蔽 构件 具备 生长 装置
【主权项】:
1.一种遮蔽构件,配置于单晶生长装置内,所述单晶生长装置具备晶体生长用容器、原料收纳部、基板支持部和加热装置,/n所述原料收纳部位于所述晶体生长用容器内的下部,/n所述基板支持部配置在所述原料收纳部的上方,且以与所述原料收纳部相对的方式支持基板,/n所述加热装置配置在所述晶体生长用容器的外周,/n所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华而在所述基板上生长所述原料的单晶,/n所述遮蔽构件是在所述原料收纳部与所述基板支持部之间配置使用的,其特征在于,/n所述遮蔽构件由至少1个结构体构成,所述结构体具有非平板形状,所述非平板形状是将所述结构体配置于所述装置内时在所述基板支持部侧具有倾斜面的形状。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社,未经昭和电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910369851.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top