[发明专利]一种可调束斑的场发射冷阴极电子源器件及其制备方法有效
申请号: | 201910370116.7 | 申请日: | 2019-05-06 |
公开(公告)号: | CN110085503B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 程国安;岳宏鑫;唐煦尧;郑瑞廷 | 申请(专利权)人: | 北京师范大学 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J9/00 |
代理公司: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 王敏 |
地址: | 100875 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于真空电子技术和新材料技术的交叉领域,尤其涉及可调束斑冷阴极场发射电子源器件及其制备方法,主要用于真空电子辐射源器件或产生大电流、高电流密度电子束的器件中。本发明包括由导电基体及定向碳纳米管阵列微束构成的阴极、内聚焦极、栅极、外聚焦极、绝缘陶瓷外壳以及电子束引出电极等。本发明使用直径10~500μm的碳纳米管阵列微束作为场发射体,可以在出射端得到束斑直径1~200μm的电子束,实现可调电子束束斑的输出。本发明提出了一种具有内聚焦极结构的场发射冷阴极电子源器件及其制备方法,以实现出射电子束束斑尺寸可调节且具有优良电流发射能力和发射稳定性的场发射冷阴极电子源的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 可调 发射 阴极 电子 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种可调束斑的场发射冷阴极电子源器件,其特征在于器件由导电基体及定向碳纳米管阵列微束构成的阴极、电子束引出电极、栅极、内聚焦极、绝缘陶瓷管、外聚焦极和排气管构成,导电基体及定向碳纳米管阵列微束构成的阴极、栅极、内聚焦极、外聚焦极及电子束引出电极的中心位于同一中心轴上。
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