[发明专利]一种Bi2

摘要

本发明公开了一种Bi2Te3/Bi2O3/TiO2三元异质结薄膜的制备方法。先通过阳极氧化法在钛板表面制备二氧化钛(TiO2)纳米薄膜，再通过一步恒电位沉积法在TiO2纳米薄膜表面制备碲化铋/氧化铋二元纳米复合材料(Bi2Te3/Bi2O3)，得到Bi2Te3/Bi2O3/TiO2三元异质结薄膜。通过X射线衍射证明了异质结薄膜中含有Bi2Te3，Bi2O3和TiO2三种半导体物质，扫描电镜结果显示Bi2Te3/Bi2O3/TiO2三元异质结薄膜由Bi2Te3/Bi2O3纳米花和TiO2纳米管构成。紫外可见漫反射吸收光谱说明Bi2Te3/Bi2O3/TiO2三元异质结薄膜在紫外可见光范围内的光吸收性能均优于纯TiO2。将本发明的Bi2Te3/Bi2O3/TiO2三元异质结薄膜应用于Q235碳钢的光生阴极保护，能够将Q235碳钢阴极极化至‑812mV以下，说明Q235碳钢已经进入很好的阴极保护状态。

主权项

1.一种Bi₂Te₃/Bi₂O₃/TiO₂三元异质结薄膜的制备方法，其特征在于：通过恒电位沉积法在TiO₂表面制备纳米Bi₂Te₃/Bi₂O₃，即于TiO₂纳米薄膜与纳米Bi₂Te₃/Bi₂O₃之间形成异质结结构的Bi₂Te₃/Bi₂O₃/TiO₂三元异质结薄膜。