[发明专利]一种晶圆处理方法及装置在审
| 申请号： | 201910371415.2 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN110064984A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B9/06 | 分类号： | B24B9/06;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆处理方法及装置，在晶圆处理方法中，在对晶圆进行边缘抛光之前，在所述晶圆的表面形成氧化膜。根据本发明的晶圆处理方法，在对晶圆进行边缘抛光之前，在晶圆的表面形成氧化膜，通过在晶圆的表面形成氧化膜能够在边缘抛光过程中保护晶圆的表面，防止晶圆表面形成表面缺陷，提高晶圆的抛光品质，提高生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 边缘抛光 表面形成 氧化膜 种晶 表面缺陷 晶圆表面 抛光品质 良率 生产 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆处理方法，其特征在于，在对晶圆进行边缘抛光之前，在所述晶圆的表面形成氧化膜。
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