[发明专利]超结MOS器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910371948.0 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN110212026B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 罗杰馨;薛忠营;柴展;徐大朋;黄肖艳 | 申请（专利权）人： | 上海功成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201822 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超结MOS器件结构及其制备方法。超结MOS器件结构包括第一导电类型衬底；第一导电类型外延层；多个第二导电类型柱；多个第二导电类型阱区；第一导电类型源区；第二导电类型阱引出区；栅极；栅极间隔层，位于栅极内，包括间隔绝缘层及间隔金属层，间隔绝缘层位于第一导电类型柱的上表面，间隔金属层位于间隔绝缘层的上表面；源极金属层，位于第二导电类型阱引出区的表面及第一导电类型源区的表面；漏极金属层，位于第一导电类型衬底远离第一导电类型外延层的表面。本发明能有效降低超结MOS器件体内的反向恢复电荷、缩短超结器件的反向恢复时间，由此能够降低器件损耗，减小开关过程中的噪声干扰，进一步提升超结器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超结MOS器件结构，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，位于所述第一导电类型衬底的表面；多个第二导电类型柱，间隔分布于所述第一导电类型外延层内，以在各所述第二导电类型柱之间间隔出第一导电类型柱而形成超结结构，第二导电类型不同于第一导电类型；多个第二导电类型阱区，位于所述第一导电类型外延层内，且位于所述第二导电类型柱的上表面；第一导电类型源区，位于所述第二导电类型阱区内；第二导电类型阱引出区，位于所述第二导电类型阱区内，且和所述第一导电类型源区相邻设置；栅极，包括栅氧化层、栅极导电层及层间介质层；其中，所述栅氧化层位于所述第一导电类型柱的上表面及所述第二导电类型阱区的部分上表面；所述栅极导电层位于所述栅氧化层的上表面；所述层间介质层位于所述栅极导电层的上表面及侧壁；栅极间隔层，位于所述栅极内，所述栅极间隔层包括间隔绝缘层及间隔金属层，所述间隔绝缘层位于所述第一导电类型柱的上表面，所述间隔金属层位于所述间隔绝缘层的上表面，所述栅极间隔层将所述栅极导电层间隔成至少两部分；源极金属层，位于所述第二导电类型阱引出区的表面及所述第一导电类型源区的表面；漏极金属层，位于所述第一导电类型衬底远离所述第一导电类型外延层的表面。
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