[发明专利]超结MOS器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910371949.5 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN110176499B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 罗杰馨;薛忠营;柴展;徐大朋;肖兵 | 申请（专利权）人： | 上海功成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201822 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种超结MOS器件结构及其制备方法。该器件结构包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层；多个第二导电类型柱，间隔分布于第一导电类型外延层内以在各第二导电类型柱之间间隔出第一导电类型柱而形成超结结构；多个第二导电类型阱区；第一导电类型源区；第二导电类型阱引出区；栅氧化层；负电容材料层；栅极导电层；层间介质层；源极金属层，位于第二导电类型阱引出区的表面及第一导电类型源区的表面；漏极金属层，位于第一导电类型衬底远离第一导电类型外延层的表面。本发明可以有效避免开关过程中所述超结MOS器件结构的反向输出电容(Coss)和反向传输电容(Crss)产生突变，避免器件产生震荡并改善其EMI特性，提高器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超结MOS器件结构，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，位于所述第一导电类型衬底的表面；多个第二导电类型柱，间隔分布于所述第一导电类型外延层内，以在各所述第二导电类型柱之间间隔出第一导电类型柱而形成超结结构，第二导电类型不同于第一导电类型；多个第二导电类型阱区，位于所述第一导电类型外延层内，且位于所述第二导电类型柱的上表面；第一导电类型源区，位于所述第二导电类型阱区内；第二导电类型阱引出区，位于所述第二导电类型阱区内，且和所述第一导电类型源区相邻设置；栅氧化层，位于所述第一导电类型柱的上表面；负电容材料层，位于所述栅氧化层的上表面；栅极导电层，位于所述栅氧化层和所述负电容材料层的表面；层间介质层，位于所述栅极导电层的上表面和侧壁；源极金属层，位于所述第二导电类型阱引出区的表面及所述第一导电类型源区的表面；漏极金属层，位于所述第一导电类型衬底远离所述第一导电类型外延层的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海功成半导体科技有限公司，未经上海功成半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910371949.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
