[发明专利]一种多栅三维纳米线晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910372421.X | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN110190111A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 刘宇;梁仁荣;赵林媛;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多栅三维纳米线晶体管及其制备方法，其中，多栅三维纳米线晶体管包括：半导体纳米线、中间层是氧化物栅介质和电极；多栅三维纳米线晶体管的内部为半导体纳米线；氧化物栅介质为多栅三维纳米线晶体管的中间层分别与半导体纳米线和电极连接；以及电极为多栅三维纳米线晶体管的最外层。该多栅三维纳米线晶体管可以在单个器件上实现“与”和“或”逻辑运算的晶体管，并且可以通过第三端实现“与”和“或”之间的简单切换，同时可以应用到人工智能中的数据识别。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线晶体管 多栅 三维 半导体纳米线 栅介质 中间层 氧化物 制备 单个器件 电极连接 简单切换 逻辑运算 人工智能 数据识别 最外层 电极 晶体管 应用 | ||
【主权项】：
1.一种多栅三维纳米线晶体管，其特征在于，包括：半导体纳米线、中间层是氧化物栅介质和电极；其中，所述多栅三维纳米线晶体管的内部为所述半导体纳米线；所述氧化物栅介质为所述多栅三维纳米线晶体管的中间层分别与所述半导体纳米线和所述电极连接；以及所述电极为所述多栅三维纳米线晶体管的最外层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910372421.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高压隔离环
- 下一篇：沟槽栅半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
