[发明专利]波长可调谐的宽带混沌半导体激光器芯片有效

专利信息
申请号: 201910373323.8 申请日: 2019-05-07
公开(公告)号: CN110265868B 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 乔丽君;柴萌萌;张明江;张建忠;王涛;徐浩;杨强 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: H01S5/062 分类号: H01S5/062;H01S5/0625;H01S5/40;G02F1/35
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人: 朱源;武建云
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明公开了一种波长可调谐的宽带混沌半导体激光器芯片,包括左DBR激光器(A)、无源光波导(B)和右DBR激光器(C);所述左DBR激光器(A)右端连接无源光波导(B)左侧,所述无源光波导(B)右侧连接右DBR激光器(C)左侧;其中,左DBR激光器(A)和右DBR激光器(C)均为三段式结构;所述左DBR激光器(A)从左往右依次为相位区、增益区、光栅区,所述右DBR激光器(C)从左往右依次为光栅区、增益区、相位区;光栅区上生长有光栅区电极,相位区上生长有相位区电极,增益区上生长有增益区电极,光栅区为分布布拉格反射光栅。本发明所述的芯片结构体积小、稳定性好、成本低,实用性强。
搜索关键词: 波长 调谐 宽带 混沌 半导体激光器 芯片
【主权项】:
1.一种波长可调谐的宽带混沌半导体激光器芯片,其特征在于:包括左DBR激光器(A)、无源光波导(B)和右DBR激光器(C);所述左DBR激光器(A)右端连接无源光波导(B)左侧,所述无源光波导(B)右侧连接右DBR激光器(C)左侧;其中,左DBR激光器(A)和右DBR激光器(C)均为三段式结构;所述左DBR激光器(A)从左往右依次为相位区、增益区、光栅区,所述右DBR激光器(C)从左往右依次为光栅区、增益区、相位区;光栅区上生长有光栅区电极,相位区上生长有相位区电极,增益区上生长有增益区电极,光栅区为分布布拉格反射光栅;所述左DBR激光器(A)与右DBR激光器(C)的中心波长频率差为10GHz~15GHz,二者的输出功率偏差低于70%;所述左DBR激光器(A)与右DBR激光器(C)通过互注入加光反馈的方式产生混沌光信号。
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