[发明专利]薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法在审
| 申请号： | 201910373775.6 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110148568A | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 梅园;李金城 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法包括：基板提供步骤、金属蚀刻初始步骤、第一金属蚀刻步骤、第二金属蚀刻步骤、以及电流侦测步骤。透过侦测基板上集流体层的电流变化可准确侦测出金属蚀刻终点。 | ||
| 搜索关键词： | 金属蚀刻 薄膜晶体管基板 终点测定 金属层 基板 电流变化 电流侦测 上集流体 侦测 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法，其特征在于，所述金属蚀刻终点测定方法包括：基板提供步骤，包括提供一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括依序迭设的玻璃基板、集流体层、铜层以及光阻层，其中，所述光阻层上形成有二相见间隔的光阻块；金属蚀刻初始步骤，包括开始蚀刻所述铜层；第一金属蚀刻步骤，包括持续蚀刻所述铜层，使所述铜层被蚀刻出一介于两所述光阻块之间的梯形槽；第二金属蚀刻步骤，包括持续蚀刻所述铜层以露出所述集流体层；以及所述电流侦测步骤，包括至少在所述第二金属蚀刻步骤中通过所述集流体层持续测定电流值，其中，当所述电流值发生骤降时，所述骤降的时点判定为金属蚀刻终点，其中，所述金属蚀刻终点为所述第二金属蚀刻步骤中所述铜层被蚀刻至露出所述集流层的时点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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