[发明专利]一种用于真空磁控溅射镀膜的样片腔装置及其加工方法在审
| 申请号： | 201910374092.2 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110079776A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 杨馥羽;李中泉;张沛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 司立彬 |
| 地址： | 100049 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于真空磁控溅射镀膜的样片腔装置及其加工方法。本发明的样片腔装置，其特征在于，包括样片腔和多个铜样片，所述样片腔与目标铜腔的形状和尺寸相同；各所述铜样片分别固定在所述样片腔内设定关注的部位。本发明首先将样片腔装置放置于真空腔室内，采用磁控溅射镀膜方法在样片腔装置上镀铌；然后根据固定在所述样片腔装置内的铜样片镀膜确定目标铜腔内表面各位置处对应的镀膜信息，再结合所述镀膜信息优化镀膜参数。本发明通过该样片腔装置进行镀膜实验并对样片进行表征分析，能够优化各个位置处的镀膜参数，为后续整个目标铜腔基底的镀膜提供经验指导。 | ||
| 搜索关键词： | 镀膜 铜腔 真空磁控溅射镀膜 镀膜参数 位置处 磁控溅射镀膜 表征分析 信息优化 内表面 真空腔 基底 腔内 加工 室内 优化 | ||
【主权项】：
1.一种用于真空磁控溅射镀膜的样片腔装置，其特征在于，包括样片腔和多个铜样片，所述样片腔与目标铜腔的形状和尺寸相同；各所述铜样片分别固定在所述样片腔内设定关注的部位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院高能物理研究所，未经中国科学院高能物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910374092.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种钼合金表面MoSi
- 下一篇：低缺陷光学薄膜制备方法及其制品
- 同类专利
- 专利分类
