[发明专利]一种用于铁电栅GaN基增强型HEMT器件的异质结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910374122.X | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111916493A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李效民;黎冠杰;陈永博;朱秋香;赵俊亮;高相东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种用于铁电栅GaN基增强型HEMT器件的异质结构及其制备方法，所述异质结构包括：AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底，以及依次生长在所述AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底中AlGaN层表面的MgO外延薄膜界面层和BaTiO |
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| 搜索关键词： | 一种 用于 铁电栅 gan 增强 hemt 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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