[发明专利]屏蔽式沟槽器件有效
| 申请号： | 201910374372.3 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110459604B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | H.耶尔马兹 | 申请（专利权）人： | 艾鲍尔半导体 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李莹 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 诸如沟槽MOSFET或IGBT的屏蔽沟槽功率器件采用具有下面的多晶硅屏蔽区域的栅极结构，该多晶硅屏蔽区域与器件的外延层或结晶层中的屏蔽区域接触。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 器件 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽器件，包括：/n第一导电类型的半导体层；/n第二导电类型的屏蔽区域，其在所述半导体层中；/n所述第二导电类型的屏蔽多晶硅区域，其在所述屏蔽区域上，并且由第一电介质间隔体横向地限定；/n电介质层，其在所述屏蔽多晶硅区域上；以及/n沟槽栅极结构，其在所述电介质层上。/n
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