[发明专利]一种MEMS加速器件的通孔刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910374859.1 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110116986A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 张振兴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS加速器件的通孔刻蚀方法，该方法至少包括以下步骤：步骤一、对硅片表面进行刻蚀，形成通孔；步骤二、对刻蚀后的硅片表面进行低温灰化；步骤三、对经过低温灰化后的硅片表面进行高温灰化；步骤四、对经过高温灰化后的硅片表面进行湿法清洗。本发明将灰化过程分开进行，通过低温灰化来避免刻蚀后光刻胶变硬以及聚合物变硬，使得后续高温灰化过程中光刻胶容易被去除，而残留的聚合物通过后续湿法清洗被有效清理，提高了产品的良率，节约了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 灰化 刻蚀 硅片表面 通孔 湿法清洗 聚合物 光刻胶 良率 去除 生产成本 残留 节约 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS加速器件的通孔刻蚀方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、对硅片表面进行刻蚀，形成通孔；步骤二、对刻蚀后的硅片表面进行低温灰化；步骤三、对经过低温灰化后的硅片表面进行高温灰化；步骤四、对经过高温灰化后的硅片表面进行湿法清洗。
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