[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910374990.8 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110752212A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 李相炫;康诚右;裴根熙;安学润;吴省翰;吴怜默 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/11 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体器件包括：栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；第一接触插塞，在所述栅极中的相邻栅极之间与衬底接触，第一接触插塞与所述栅极中的相应栅极的侧壁间隔开；第二接触插塞，与相应栅电极的上表面相接触，第二接触插塞在所述第一接触插塞之间；以及绝缘间隔物，在第二接触插塞和相邻的第一接触插塞之间的间隙中，绝缘间隔物接触第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的侧壁，并且第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的上表面基本上彼此共面。 | ||
| 搜索关键词： | 接触插塞 绝缘间隔物 上表面 栅电极 半导体器件 栅极绝缘层 侧壁间隔 衬底接触 方向延伸 相邻栅极 间隔物 侧壁 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n多个栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述多个栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；/n多个第一接触插塞，在所述多个栅极中的相邻的栅极之间与所述衬底相接触，所述多个第一接触插塞与所述多个栅极中的相应栅极的侧壁间隔开；/n第二接触插塞，与相应栅电极的上表面相接触，所述第二接触插塞位于所述多个第一接触插塞中的第一接触插塞之间；以及/n绝缘间隔物，在所述第二接触插塞与所述多个第一接触插塞中的相邻第一接触插塞之间的间隙中，所述绝缘间隔物与所述第二接触插塞和所述多个第一接触插塞中的所述相邻第一接触插塞的侧壁相接触，并且所述第二接触插塞和所述相邻第一接触插塞的上表面彼此共面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
