[发明专利]一种多级单元磁存储结构及其读写方法

摘要

本发明公开一种多级单元磁存储结构及其读写方法，该存储单元由下到上依次为垂直堆叠的强自旋轨道耦合材料、第一磁隧道结、第二磁隧道结、第三磁隧道结及第一电极，强自旋轨道耦合材料两端分别镀有第二电极和第三电极；第一磁隧道结的底面形状内含于强自旋轨道耦合材料上表面，第三磁隧道结的底面形状内含于第二磁隧道结上表面，第一磁隧道结上表面的形状、尺寸和第二磁隧道结的底面完全相同；第一磁隧道结的自由层与强自旋轨道耦合材料相接触；第二、三磁隧道结的自由层、参考层的相对摆放位置与第一磁隧道结相同。通过对单元结构改进并设计相应的读写方法，本发明在提高存储密度的同时，可减少级间干扰，简化写入步骤，优化器件的读取性能。

主权项

1.一种多级单元磁存储结构，其特征在于：所述结构由下到上依次为垂直堆叠的强自旋轨道耦合材料、第一磁隧道结、第二磁隧道结、第三磁隧道结及第一电极，在强自旋轨道耦合材料两端分别镀有第二电极和第三电极；所述第一磁隧道结的底面形状内含于所述强自选轨道耦合材料的上表面，所述第三磁隧道结的底面形状内含于所述第二磁隧道结的上表面，第一磁隧道结上表面的形状、尺寸和第二磁隧道结的底面完全相同；所述第一磁隧道结的自由层与所述强自旋轨道耦合材料相接触，可受自旋轨道耦合作用的影响；所述第二、三磁隧道结的自由层、参考层的相对摆放位置与所述第一磁隧道结相同。