[发明专利]薄膜形成方法在审
| 申请号： | 201910376104.5 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110473769A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 朴相俊;田泰镐;李相镇;韩昌熙;金兑昊 | 申请（专利权）人： | 圆益IPS股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 11384 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 郑青松<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 韩国京畿道平*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明一观点的薄膜形成方法，包括如下的步骤：通过原子层沉积工艺在基板上形成具有第一结晶性的第一厚度的第一薄膜；对于所述第一薄膜通过原子层蚀刻工艺将所述第一薄膜蚀刻成固定厚度，以形成第二厚度的第二薄膜，所述第二厚度小于所述第一厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 原子层沉积工艺 薄膜蚀刻 薄膜形成 蚀刻工艺 结晶性 原子层 基板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜形成方法，包括如下的步骤：/n通过原子层沉积工艺在基板上形成具有第一结晶性的第一厚度的第一薄膜；/n对于所述第一薄膜通过原子层蚀刻工艺将所述第一薄膜蚀刻成固定厚度，以形成第二厚度的第二薄膜，所述第二厚度小于所述第一厚度；/n其中，所述第二薄膜的结晶性具有高于第三薄膜具有的结晶性的结晶度，所述第三薄膜是在与所述原子层沉积工艺相同的条件下在所述基板上形成形成所述第二厚度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
