[发明专利]基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及系统和方法

摘要

本发明提供一种基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及其制备方法和调制系统，太赫兹调制器从下至上依次包括：底层的Al2O3衬底、SiO2隔离层、硅基微结构、Al2O3钝化层，硅基微结构在SiO2隔离层上周期性排列，每个硅基微结构包括两层正方形Si基台阶结构，调制系统包括：半导体激光器、激光调制器、太赫兹调制器、太赫兹辐射源、太赫兹探测器，本发明对于0.4THz～0.85THz的太赫兹波具有22％以下的反射率，在0.82THz处达到最低18％，可显著降低调制器件对太赫兹波的反射率，提高太赫兹波的利用率；在功率为1200mw的808nm激光照射下达到64.5％的调制深度；太赫兹成像扩散区域相较于传统硅基太赫兹调制器，有效提高成像系统中的分辨率达到21.9％以上。

主权项

1.一种基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器，其特征在于从下至上依次包括：底层的Al₂O₃衬底(12)、SiO₂隔离层(11)、硅基微结构(10)、Al₂O₃钝化层(9)，硅基微结构(10)在SiO₂隔离层(11)上周期性排列，每个硅基微结构(10)包括两层正方形Si基台阶结构，从上至下分别为上层Si基台阶(101)和下层Si基台阶(102)，上层Si基台阶(101)和下层Si基台阶(102)的中心对齐，上层Si基台阶(101)的边长小于下层Si基台阶(102)的边长。