[发明专利]存储系统的建立方法、装置、存储系统和访问方法在审
申请号: | 201910376820.3 | 申请日: | 2019-05-07 |
公开(公告)号: | CN110221984A | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 曲良;陈岚;李莹 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F12/0873 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 韩建伟 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请提供了一种存储系统的建立方法、装置、存储系统和访问方法。该存储系统基于初始存储系统构建,初始存储系统包括初始内存单元和外部存储单元,构建方法包括:在初始内存单元中构建非易失存储器,剩余的初始内存单元为内存单元;在非易失存储器中构建非易失堆;在非易失堆上构建缓冲区。将至少部分NVM作为DRAM形成的内存单元和flash形成的外部存储单元之间的非易失缓冲区,以缓冲外部存储单元中的数据,这样使得该存储系统数据的读写速度较快,存储系统的响应能力较好,且外部存储单元的使用寿命较长。 | ||
搜索关键词: | 存储系统 内存单元 外部存储 构建 非易失 非易失存储器 缓冲区 存储系统构建 存储系统数据 使用寿命 响应能力 缓冲 读写 访问 申请 | ||
【主权项】:
1.一种存储系统的构建方法,其特征在于,所述存储系统基于初始存储系统构建,所述初始存储系统包括初始内存单元和外部存储单元,所述构建方法包括:在所述初始内存单元中构建非易失存储器,剩余的所述初始内存单元为内存单元;在所述非易失存储器中构建非易失堆;在所述非易失堆上构建缓冲区。
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