[发明专利]一种极化与量子点共调控的高光电响应探测器单元有效
申请号: | 201910377962.1 | 申请日: | 2019-05-08 |
公开(公告)号: | CN110085700B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 侯鹏飞;邢思玮;陈芸;钟向丽;王金斌;郭红霞 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/0352 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 411105 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于光电响应探测技术领域,具体涉及一种极化与量子点共调控的高光电响应探测器单元。包括依次衬底、功能层、左电极、量子点、右电极,功能层位于衬底之上,功能层两侧分别为左电极和右电极,量子点分布于功能层之上,衬底为绝缘体或者为有较厚绝缘镀层的半导体,功能层为单层或多层的二维层状铁电材料,量子点为金属或者二维半导体材料纳米片。本发明能够有效提高现有技术中光电响应二维探测器单元在光/暗条件下的电流比值,并能根据需要有效调控响应时间,该类器件可以应用于柔性电子中,制备简单,易于实现微型化应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 极化 量子 调控 光电 响应 探测器 单元 | ||
【主权项】:
1.一种极化与量子点共调控的高光电响应探测器单元,依次包括衬底、功能层、左电极、量子点、右电极,其特征在于,所述功能层位于衬底之上,所述功能层两侧分别为左电极和右电极,所述量子点分布于功能层之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学,未经湘潭大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910377962.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的