[发明专利]一种Cu-N-C基碳纳米片及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201910378155.1 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110124714B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 石乃恩;王涛;杨瑞;丁震;顾大庆 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;H01M4/96;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 张婷婷 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种Cu‑N‑C基碳纳米片及其制备方法与应用，该Cu‑N‑C基碳纳米片纳米片是铜、氮元素共掺杂的碳纳米片，其制备方法如下：在室温下，将5,10,15,20‑四吡啶基卟啉(TPyP)的乙酸溶液与一水合乙酸铜(CuAc |
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| 搜索关键词： | 一种 cu 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种Cu‑N‑C基碳纳米片，其特征在于，所述Cu‑N‑C基碳纳米片是一种铜、氮元素共掺杂的多孔碳纳米片，其中Cu、N、C元素的含量分别为2‑3％、5‑6％、92‑93％，纳米片的厚度为80‑100nm，平均径向长度为700‑800nm。
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