[发明专利]具有铁电晶体管的集成组合件及形成集成组合件的方法在审
| 申请号： | 201910380635.1 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110459546A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | K·M·卡尔达;刘海涛 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/11585 | 分类号： | H01L27/11585;H01L27/1159 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王龙<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有铁电晶体管的集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含集成组合件，其在第一比较数字线与第二比较数字线之间具有铁电晶体管主体区域。载流子储层结构通过沿所述第一比较数字线的侧传递的延伸部与所述铁电晶体管主体区域耦合。一些实施例包含具有在载流子储层结构之上的导电结构的集成组合件。所述导电结构的底部通过绝缘区域与所述载流子储层结构间隔。铁电晶体管在所述导电结构之上。一些实施例包含形成集成组合件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成组合件 铁电晶体管 载流子 导电结构 层结构 数字线 主体区域 绝缘区域 耦合 延伸部 传递 | ||
【主权项】：
1.一种集成组合件，其包括：/n铁电晶体管主体区域，其在第一比较数字线与第二比较数字线之间；及/n载流子储层结构，其通过沿所述第一比较数字线的侧传递的延伸部与所述铁电晶体管主体区域耦合。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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