[发明专利]疏水型SiO2f 有效
| 申请号： | 201910382043.3 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110218102B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 董衡;韩耀;肖振兴;李淑琴;张剑;吕毅;张天翔 | 申请（专利权）人： | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100074 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种疏水型SiO |
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| 搜索关键词： | 疏水 sio base sub | ||
【主权项】：
1.一种疏水型SiO2f/SiO2透波材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：SiO2f/SiO2透波材料预处理；制备硅烷偶联剂改性的硅溶胶；将经预处理的SiO2f/SiO2透波材料浸泡在所述硅烷偶联剂改性的硅溶胶中，并干燥一定时间，得到第一改性SiO2f/SiO2透波材料；将得到的第一改性SiO2f/SiO2透波材料浸渍到有机硅树脂涂料中，一定时间后取出并进行干燥，最后经热处理即得疏水型SiO2f/SiO2透波材料。
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