[发明专利]一种图像传感器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910382253.2 申请日: 2019-05-08
公开(公告)号: CN110098211A 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: 赵培培;吴明;林宗贤;吴龙江;孙明亮;马亚辉 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市一法律师事务所 11654 代理人: 刘荣娟
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请涉及一种图像传感器及其制作方法。所述图像传感器的制作方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括一个以上光电转换区,所述一个以上光电转换区内分别形成有感光元件;在所述半导体衬底上形成掩膜层;在所述掩膜层内以及所述一个以上光电转换区中的任意相邻的所述光电转换区之间形成深沟槽;在所述深沟槽内填充光波导结构;去除所述掩膜层;在所述光电转换区上方形成滤色层,其中,所述光波导结构隔离所述一个以上光电转换区中的任意相邻的所述光电转换区和相邻的所述滤色层,并防止光线在相邻的所述光电转换区串扰,提高了图像质量。
搜索关键词: 光电转换区 图像传感器 掩膜层 衬底 半导体 光波导结构 滤色层 深沟槽 制作 感光元件 光电转换 串扰 去除 填充 隔离 图像 申请
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括一个以上光电转换区;滤色层,所述滤色层位于所述一个以上光电转换区上;光波导结构,所述光波导结构位于所述一个以上光电转换区中任意相邻的光电转换区之间并延伸至与所述相邻的光电转换区位置对应的所述滤色层之间。
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