[发明专利]一种图像传感器及其制作方法在审
申请号: | 201910382253.2 | 申请日: | 2019-05-08 |
公开(公告)号: | CN110098211A | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 赵培培;吴明;林宗贤;吴龙江;孙明亮;马亚辉 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人: | 刘荣娟 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及一种图像传感器及其制作方法。所述图像传感器的制作方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括一个以上光电转换区,所述一个以上光电转换区内分别形成有感光元件;在所述半导体衬底上形成掩膜层;在所述掩膜层内以及所述一个以上光电转换区中的任意相邻的所述光电转换区之间形成深沟槽;在所述深沟槽内填充光波导结构;去除所述掩膜层;在所述光电转换区上方形成滤色层,其中,所述光波导结构隔离所述一个以上光电转换区中的任意相邻的所述光电转换区和相邻的所述滤色层,并防止光线在相邻的所述光电转换区串扰,提高了图像质量。 | ||
搜索关键词: | 光电转换区 图像传感器 掩膜层 衬底 半导体 光波导结构 滤色层 深沟槽 制作 感光元件 光电转换 串扰 去除 填充 隔离 图像 申请 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括一个以上光电转换区;滤色层,所述滤色层位于所述一个以上光电转换区上;光波导结构,所述光波导结构位于所述一个以上光电转换区中任意相邻的光电转换区之间并延伸至与所述相邻的光电转换区位置对应的所述滤色层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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